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核心職責：
1. 射頻電源系統架構設計：
負責半導體級射頻電源（典型頻率 13.56MHz， 27MHz， 40MHz， 60MHz等）的整體系統架構設計，包括功率級拓撲（如Class D, E, F, 或LLC等）、匹配網絡設計、控制回路架構等。
深入理解并優化射頻電源在復雜等離子體負載下的動態響應特性、穩定性、效率及輸出精度（功率/電壓/電流）。
定義關鍵性能指標（KPIs）如功率穩定性、頻率精度、諧波失真、效率、可靠性等，并主導實現方案。
2. 核心算法研究與開發：
設計、開發并優化射頻電源的核心控制算法，包括但不限于： 高級阻抗匹配算法 (自動匹配網絡調諧)。高精度、高速的功率/電壓/電流閉環控制算法 (如自適應PID、模型預測控制MPC等)。
等離子體狀態監測與診斷算法(如V/I相位檢測、諧波分析、穩定性監控)。 抗干擾算法及故障保護策略。負責算法的仿真（如MATLAB/Simulink, PLECS）
3. 技術領導與項目管理：
組建、領導和管理射頻電源研發技術團隊，明確技術路線，分配任務，指導團隊成員工作。
主導射頻電源相關研發項目的規劃、執行、風險管控與交付，確保項目按時按質達成目標。
負責關鍵技術難題的攻關與解決。

4. 跨部門協作與產品化：
與硬件（功率器件、高頻磁元件、PCB設計）、軟件（嵌入式、上位機）、工藝應用等團隊緊密協作，確保系統設計與算法方案的工程可實現性及與半導體工藝需求的完美匹配。
主導或深度參與射頻電源樣機的設計、調試、測試驗證（實驗室及客戶端現場）。支持產品轉產，解決量產過程中的技術問題。
5. 任職要求：
電子工程、微電子等相關專業碩士及以上學歷。
碩士5年以上射頻電源研發經驗，深刻理解射頻功率放大器、匹配網絡原理及設計。
精通半導體制造設備（如刻蝕機、PVD、CVD、離子注入等）中射頻電源的應用場景、技術挑戰及性能要求。
豐富的射頻電源系統架構設計經驗，能獨立完成從規格定義到架構選型、關鍵參數設計。
在射頻電源核心控制算法（如阻抗匹配、高精度功率控制、穩定性控制）方面有成功的設
計、實現與優化經驗。熟練掌握相關仿真工具。
深入理解高頻功率器件、高頻磁元件（變壓器、電感）、射頻測量技術。
有國內外射頻電源供應商（如MKS, AE，英杰，廣能達）相關工作經驗者優先。
在等離子體物理或等離子體與射頻功率耦合、射頻電源方面有深入研究或經驗者優先。